研究者
J-GLOBAL ID:201801017761496113   更新日: 2023年07月12日

大井川 治宏

オオイガワ ハルヒロ | Oigawa Haruhiro
所属機関・部署:
職名: 講師
研究分野 (3件): 電子デバイス、電子機器 ,  応用物性 ,  薄膜、表面界面物性
競争的資金等の研究課題 (5件):
  • 1998 - 1998 窒化物半導体表面
  • 1997 - デルタ・ドーピングによるGaAs表面構造の変化
  • 1989 - 1993 硫化物処理化合物半導体表面
  • 1992 - 硫黄処理表面でのエピタキシャル成長
  • 1990 - 化合物半導体の表面処理に関する研究
論文 (87件):
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特許 (1件):
  • ヘテロダインビートプローブ走査顕微鏡およびこれによってトンネル電流に重畳された微小信号の計測方法
書籍 (4件):
  • 走査プローブ顕微鏡 -正しい実験とデータ解析のために必要なこと-
    実験物理科学シリーズ・共立出版 2009 ISBN:9784320033818
  • 実戦ナノテクノロジー 走査プローブ顕微鏡と局所分光
    裳華房 2005 ISBN:9784785369071
  • ナノテクノロジーのための走査プローブ顕微鏡
    表面分析技術選書・丸善 2002 ISBN:462107069X
  • 硫黄処理による砒化ガリウムの表面物性の研究
    1990
講演・口頭発表等 (7件):
  • 光励起多探針技術の開発と低次元半導体評価への応用
    (第68回応用物理学会春季学術講演会 2021)
  • Photoresponse Measurements of Monolayer WSe2MoSe2 In-plane Heterostructure by an Optically-excited Multiprobe method
    (27th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM27) 2019)
  • 光励起多探針計測を用いた単層 WSe2/MoSe2面内ヘテロ構造の光応答評価
    (2019年日本表面真空学会学術講演会 2019)
  • Photoresponse of WSe2/MoSe2 in-plane heterostructure probed by a laser-combined multiprobe spectroscopy
    (Recent Progress in Graphene & 2D Materials Research (RPGR2019) 2019)
  • パルス対励起型STMによる硫黄処理GaAs(001)表面のキャリアダイナミックスと基板依存性
    (第71回応用物理学会学術講演会講演予稿集_応用物理学会_'10秋_1_ 2010)
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学位 (1件):
  • 工学博士 (筑波大学)
受賞 (1件):
  • 1998 - 日本表面科学会 論文賞
所属学会 (1件):
応用物理学会
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