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J-GLOBAL ID：202002226028946312   整理番号：20A1395305

光励起多探針計測を用いた単層WSe₂/MoSe₂面内ヘテロ構造の光応答評価

Photoresponse observation of monolayer WSe₂/MoSe₂ in-plane heterostructure by a laser-combined multiprobe measurement

著者 (10件)： 茂木裕幸 (筑波大数理) ,  Wang Zi-han (筑波大数理) ,  番場隆文 (筑波大数理) ,  高口裕平 (首都大理) ,  遠藤尚彦 (首都大理) ,  吉田昭二 (筑波大数理) ,  谷中淳 (筑波大数理) ,  大井川治宏 (筑波大数理) ,  宮田耕充 (首都大理) ,  重川秀実 (筑波大数理)
資料名： 日本表面真空学会学術講演会要旨集(Web)
巻： 2019  ページ： 1Da01R(J-STAGE)  発行年： 2019年 
JST資料番号： U1883A  ISSN： 2434-8589  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： MoSe₂等の遷移金属ダイカルコゲナイド単層半導体は,二次元光デバイス材料として注目される。発表者らは,世界で初めてフェムト秒パルスレーザーシステムと多探針STM装置を組み合わせることに成功し,SiO₂基板上の単層WSe₂/MoSe₂面内ヘテロ構造のバンド構造評価と光キャリアダイナミクス計測を行った。任意の位置へ探針接触と光照射を可能にする本手法は,今後の二次元デバイス開発において重要となる。(著者抄録)

シソーラス用語： 応答 ,  セレン化物 ,  モリブデン化合物 ,  薄膜 ,  *半導体薄膜 ,  *フェムト秒レーザ ,  *走査型トンネル顕微鏡 ,  タングステン化合物 ,  素子構造 ,  バンド構造 ,  光電流
準シソーラス用語： *セレン化タングステン ,  *セレン化モリブデン ,  *フェムト秒パルスレーザ ,  ヘテロ構造 ,  光応答 ,  単層膜

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 光励起 ,  探針 ,  計測 ,  単層 ,  ヘテロ構造 ,  光応答 ,  評価