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J-GLOBAL ID：201802220136323871   整理番号：18A1697728

電気化学インピーダンス法を用いたn-GaN加工表面の評価

著者 (3件)： 武田健太郎 (北大 量集セ) ,  渡久地政周 (北大 量集セ) ,  佐藤威友 (北大 量集セ)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.18p-PA6-6  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  *窒化ガリウム ,  N型半導体 ,  *表面 ,  電気化学インピーダンス ,  スペクトロスコピー ,  電流電圧特性 ,  容量電圧特性 ,  ICP分析 ,  RIE【エッチング】 ,  実験 ,  電気化学インピーダンス分光法 ,  in situ実験 ,  電子衝撃分光法
準シソーラス用語： EIS【分光法】

分類 (1件)： 半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電気化学インピーダンス ,  GaN ,  加工表面 ,  評価