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J-GLOBAL ID：201802231752140006   整理番号：18A2009442

窒化ガリウム加工基板に対する選択的光電気化学エッチングの検討

著者 (3件)： 渡久地政周 (北大 量子集積エレクトロニクス研究セ) ,  武田健太郎 (北大 量子集積エレクトロニクス研究セ) ,  佐藤威友 (北大 量子集積エレクトロニクス研究セ)
資料名： 電気化学秋季大会講演要旨集(CD-ROM)
巻： 2018  ページ： ROMBUNNO.1I16  発行年： 2018年09月11日 
JST資料番号： X0038B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  基板 ,  *エッチング ,  N型半導体 ,  *化合物半導体 ,  光電気化学反応 ,  微細加工 ,  結晶成長 ,  電磁結合 ,  RIE【エッチング】 ,  硫酸 ,  リン酸 ,  光照射 ,  光電流 ,  電圧依存性 ,  電流電圧特性 ,  Franz-Keldysh効果 ,  境界 ,  空乏層 ,  パターン形成 ,  *光電気化学エッチング ,  選択エッチング ,  半導体-電解質境界
準シソーラス用語： 反応性イオンエッチング ,  誘導結合

分類 (2件)： 光化学一般  (CB08010U) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (2件)： 窒化ガリウム ,  光電気化学エッチング