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J-GLOBAL ID：201802286638517124   整理番号：18A1699757

溶液処理されたアモルファスIn-Zn-O薄膜トランジスタの高信頼性低温(180°C)処理パッシベーション

Highly Reliable Low Temperature (180°C) Solution Processed Passivation for Amorphous Solution Processed In-Zn-O Thin-Film Transistors

著者 (8件)： SYAIRAH Aimi (NAIST) ,  BERMUNDO Juan Paolo (NAIST) ,  YOSHIDA Naofumi (NAIST) ,  YOSHIDA Naofumi (Merck Performance Materials Ltd) ,  NONAKA Toshiaki (Merck Performance Materials Ltd) ,  FUJII Mami N. (NAIST) ,  ISHIKAWA Yasuaki (NAIST) ,  URAOKA Yukiharu (NAIST)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.20p-234A-17  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *溶液成長 ,  *膜 ,  インジウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  金属酸化物 ,  *化合物半導体 ,  *薄膜トランジスタ ,  *信頼性 ,  *不動態化 ,  特性
準シソーラス用語： *アモルファス膜 ,  酸化インジウム亜鉛 ,  *酸化物半導体 ,  *高信頼性 ,  低温処理 ,  デバイス特性

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 溶液処理 ,  アモルファス ,  Zn ,  薄膜トランジスタ ,  高信頼性 ,  低温 ,  パッシベーション