GaInAsP/InP量子箱レーザのしきい値電流密度

MIYAMOTO Y; MIYAKE Y; ASADA M; SUEMATSU Y

文献

J-GLOBAL ID：200902003004148321 整理番号：89A0528652

GaInAsP/InP量子箱レーザのしきい値電流密度

Threshold corrent density of GaInAsP/InP quantum-box lasers.

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資料名：
巻： 25 号： 9 ページ： 2001-2006 発行年： 1989年09月
JST資料番号： H0432A ISSN： 0018-9197 CODEN： IEJQA7 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

キャリア漏れの影響を考慮して,GaInAsP/InP3次元量...

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半導体レーザ

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