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J-GLOBAL ID：200902014555835674   整理番号：90A0577321

OMVPEによって製作された70nmピッチの埋め込まれた長方形GaInAs/InPコルゲーション

Buried rectangular GaInAs/InP corrugations of 70nm pitch fabricated by OMVPE.

著者 (5件)： YAMAMOTO T (Tokyo Inst. Technology, Tokyo, JPN) ,  MIYAMOTO Y (Tokyo Inst. Technology, Tokyo, JPN) ,  OGAWA M (Tokyo Inst. Technology, Tokyo, JPN) ,  INAMURA E (Tokyo Inst. Technology, Tokyo, JPN) ,  FURUYA K (Tokyo Inst. Technology, Tokyo, JPN)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 26  号： 13  ページ： 875-876  発行年： 1990年06月21日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 長方形を保存するように,70nmピッチと40nmの深さの長方...

シソーラス用語： エピタクシー ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： OMVPE ,  製作 ,  ピッチ ,  長方形 ,  GaInAs ,  InP