文献

J-GLOBAL ID：200902020240760820   整理番号：92A0831818

a-Si膜の超高圧下横方向固相成長における{110}ファセット成長

{110}Facet Growth in the Lateral Solid Phase Epitaxy of a-Si at Ultra High Pressure.

著者 (3件)： 若林整 (東京工大) ,  石原宏 (東京工大) ,  沢岡昭 (東京工大)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 53rd  号： 2  ページ： 663  発行年： 1992年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si膜 ,  超高圧 ,  横方向 ,  固相成長 ,  ファセット ,  成長