GaInAs/InPホットエレクトロントランジスタの共鳴状態による負性微分コンダクタンス

MIYAMOTO Y; YAMAURA S; FURUYA K

文献

J-GLOBAL ID：200902034810442577 整理番号：91A0120611

GaInAs/InPホットエレクトロントランジスタの共鳴状態による負性微分コンダクタンス

Negative differential conductance due to resonant states in GaInAs/InP hot-electron transistors.

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巻： 57 号： 20 ページ： 2104-2106 発行年： 1990年11月12日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

OMVPE法により作製したGaInAs/InPホットエレクト...

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半導体-半導体接触【’81~’92】 , トランジスタ

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