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J-GLOBAL ID：200902102363428842   整理番号：94A0645457

Si中Bの植え込み位置

Lattice Location of 12B Implanted in Silicon.
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著者 (8件)：
泉川卓司

泉川卓司 について

(大阪大 理)

大阪大 理 について

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大坪隆

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(大阪大 理)

大阪大 理 について

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谷垣実

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(大阪大 理)

大阪大 理 について

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三宅徹

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(大阪大 理)

大阪大 理 について

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山口貴之

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(大阪大 理)

大阪大 理 について

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福田光順

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(大阪大 理)

大阪大 理 について

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野尻洋一

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(大阪大 理)

大阪大 理 について

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南園忠則

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(大阪大 理)

大阪大 理 について


資料名：
京都大学原子炉実験所Technical Report KURRI-TR  (Technical Reports of the Research Reactor Institute, Kyoto University)

京都大学原子炉実験所Technical Report KURRI-TR について


号： 386  ページ： 60-63  発行年： 1994年03月 
JST資料番号： S0280A  ISSN： 0287-9808  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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Si中に植え込まれたBの格子位置を調べるためにβ-NMRによ...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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ケイ素

ケイ素 について

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ほう素12

ほう素12 について


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分類 (3件)：
分類
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半導体の格子欠陥 
(BK12040Q)

半導体の格子欠陥 について

,  半導体の放射線による構造と物性の変化 
(BK16123E)

半導体の放射線による構造と物性の変化 について

,  NMR一般 
(BM07041R)

NMR一般 について

タイトルに関連する用語 (2件)：
タイトルに関連する用語
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Si

Si について

, 
植え込み

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