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J-GLOBAL ID：200902111566806817   整理番号：93A0649363

a-Si膜の超高圧下横方向固相成長における成長速度の方位依存性

Growth Direction Dependence of Growth rate in the Lateral Solid Phase Epitaxy of a-Si under Ultra High Pressure.

著者 (4件)： 若林整 (東京工大 精密工研) ,  OH J H (東京工大 精密工研) ,  石原宏 (東京工大 精密工研) ,  沢岡昭 (東京工大 工材研)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 40th  号： Pt 2  ページ： 795  発行年： 1993年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si膜 ,  超高圧 ,  横方向 ,  固相成長 ,  成長速度 ,  方位依存性