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J-GLOBAL ID：200902121834448398   整理番号：99A0888334

MOVPEによるGaInAs/AlAs/InP共鳴トンネルダイオードのピーク電流密度のバリア厚依存性

Barrier thickness dependence of peak current density in GaInAs/AlAs/InP resonant tunneling diodes by MOVPE.

著者 (4件)： MIYAMOTO Y (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  TOBITA H (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  OSHIMA K (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  FURUYA K (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 43  号： 8  ページ： 1395-1398  発行年： 1999年08月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属気相エピタクシー(MOVPE)により,3種類の異なる...

シソーラス用語： *共鳴トンネルダイオード ,...
準シソーラス用語： MOVPE

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分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (9件)： MOVPE ,  GaInAs ,  AlAs ,  InP ,  共鳴トンネルダイオード ,  電流密度 ,  バリア ,  厚 ,  依存性