急峻浅ハロー構造SOI-MOSFETにおける基板浮遊抑制作用

文献

J-GLOBAL ID：200902130539100150 整理番号：03A0043609

Body Potential Design Using Narrow and Shallow Halo to Reduce the Floating Body Effect of SOI-MOSFET.

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資料名：
巻： 63rd ページ： 42-47 発行年： 2002年12月12日
JST資料番号： F0108B 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

薄膜(約50nm)SOI-MOSFETにおける基板浮遊効果を...

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