文献

J-GLOBAL ID：200902133659032599   整理番号：01A0271078

TEGとTMGを用いるタングステンストライプにまたがるGaAs埋込成長

GaAs buried growth over tungsten stripe using TEG and TMG.

著者 (4件)： ARAI T (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  TOBITA H (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  MIYAMOTO Y (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  FURUYA K (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 221  ページ： 212-219  発行年： 2000年12月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属気相エピタクシーを用いてこのWストライプにまたがるG...

シソーラス用語： *埋込み【挿入】 ,...
準シソーラス用語： MOVPE

   このテーマを更に深掘りする（JDreamⅢへ）  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=01A0271078&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0942A") }}

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (2件)： トリエチルガリウム ,  トリメチルガリウム

タイトルに関連する用語 (5件)： TEG ,  タングステン ,  GaAs ,  埋込 ,  成長