文献

J-GLOBAL ID：200902137142578970   整理番号：97A0082422

レーザ描画による窒化アルミニウムの選択気相成長

Selective Growth of Aluminum Nitride by Laser-Enhanced Reactive Vapor Deposition.

著者 (4件)： 大竹尚登 (東京工大 工) ,  LIU L (東京工大 大学院) ,  横山知明 (東京工大 大学院) ,  加藤和典 (東京工大 工)
資料名： 日本機械学会論文集 C編  (Transactions of the Japan Society of Mechanical Engineers. Series C)
巻： 62  号： 603  ページ： 4400-4406  発行年： 1996年11月 
JST資料番号： F0045B  ISSN： 0387-5024  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 真空蒸着とアルゴンレーザ走査による基板部分加熱を併用した窒化...

シソーラス用語： 窒化アルミニウム ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=97A0082422&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0045B") }}

分類 (2件)： 気相めっき  (WC08022K) ,  金属材料へのセラミック被覆  (YC02050V)

引用文献 (12件)：

• WAUK, M. T. Vacuum Deposition of AlN Acoustic Transducers. Appl. Phys. Lett. 1968, 13, 286-288
• YOSHIDA, S. Epitaxal Growth of Aluminum Nitride Films on Sapphire by Reactive Evaporation. Appl. Phys. Lett. 1975, 26, 461-462
• GEROVA, E. V. Deposition of AlN Thin Films by Magnetoron Reactive Sputtering. Thin Solid Films. 1981, 81, 201-205
• 松岡茂登. 反応性スパッタ法によるc軸配向AIN膜の高速形成. 電子通信学会論文誌. 1985, J68-C, 548-553
• HASEGAWA, F. Plasma CVD of Amorphous AlN from Metalorganic Al Source and Properties of the Deposition Films. Jpn. J. Appl. Phys. 1987, 26, 1555-1560

タイトルに関連する用語 (3件)： レーザ描画 ,  窒化アルミニウム ,  気相成長