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J-GLOBAL ID：200902139159974120   整理番号：97A0806703

AFMによって観察したGaInAs及びInPの原子的に平坦なOMVPE成長と共鳴トンネルダイオードの準位の狭まり

Atomically flat OMVPE growth of GaInAs and InP observed by AFM for level narrowing in resonant tunneling diodes.

著者 (6件)： SUHARA M (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  NAGAO C (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  HONJI H (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  MIYAMOTO Y (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  FURUYA K (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  TAKEMURA R (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 179  号： 1/2  ページ： 18-25  発行年： 1997年08月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属気相エピタクシー(OMVPE)によって成長させたIn...

シソーラス用語： ヒ化ガリウムインジウム ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (8件)： AFM ,  観察 ,  GaInAs ,  InP ,  原子 ,  OMVPE ,  成長 ,  共鳴トンネルダイオード