文献

J-GLOBAL ID：200902139716317978   整理番号：01A0506021

基板との反応によるLa_1-xSr_xMnO₃薄膜の増進した磁気抵抗

Enhanced Magnetoresistance of La_1-xSr_xMnO₃ Thin Films by Reaction with Substrates.

著者 (4件)： HAMAYA K (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  TANIYAMA T (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KITAMOTO Y (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  YAMAZAKI Y (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名： 日本応用磁気学会誌  (Journal of the Magnetics Society of Japan)
巻： 25  号： 4-2  ページ： 727-730  発行年： 2001年04月15日 
JST資料番号： Z0944A  ISSN： 0285-0192  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高温度で焼鈍した標記LSMO多結晶薄膜の磁気的および磁気輸送...

シソーラス用語： *基板 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=01A0506021&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Z0944A") }}

分類 (3件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  固体デバイス一般  (NC03010Z)

引用文献 (17件)：

• 1) S. Jin, T. H. Tiefel, M. McCormack, R. A. Fastnacht, R. Ramesh, and L. H. Chen, Science, 246, 413 (1994).
• 2) J. B. Goodenough, J. Appl. Phys., 81, 5330 (1997).
• 3) R. Mahesh, R. Mahendiran, A. K. Raychaudhuri, and C. N. R. Rao, Appl. Phys. Lett., 68, 2291 (1996).
• 4) N. Zhang, W. Ding, W. Zhong, D. Xing, and Y. Du, Phys. Rev. B, 56, 8138 (1997).
• 5) Ll. Balcells, B. Martinez, F. Sandiumenge, J. Fontcuberta, J. Magn. Magn. Mater., 211, 193 (2000).

タイトルに関連する用語 (2件)： 薄膜 ,  磁気抵抗