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J-GLOBAL ID：200902142125345302   整理番号：97A0898014

高いピーク-谷電流比のGaInAs/GaInP共鳴トンネルダイオード

High Peak-to-Valley Current Ratio GaInAs/GaInP Resonant Tunneling Diodes.

著者 (5件)： OOBO T (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  TAKEMURA R (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  SUHARA M (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  MIYAMOTO Y (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  FURUYA K (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 36  号： 8  ページ： 5079-5080  発行年： 1997年08月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Alを含まないGaInAs/GaInPヘテロ構造は大きい伝導...

シソーラス用語： *ヒ化ガリウムインジウム ,...

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分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  ダイオード  (NC03050R)

引用文献 (6件)：

• 1) C. M. Reaves, J. C. Yen, N. A. Cevallos, U. K. Mishra and S. P. DenBaars: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 340 (1994) 147.
• 2) E. A. Beam III and A. C. Seabaugh: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 240 (1992) 33.
• 3) H. Nagai, S. Adachi and T. Fukui: III-V Mixed Crystals (Coronasha, Tokyo, 1988) [in Japanese].
• 4) Handbook of Materials for Advanced Devices, ed. IEICE (Ohmsha, Tokyo, 1993) p. 156 [in Japanese].
• 5) S. R. Forrest, P. H. Schmidt, R. B. Wilson and M. L. Kaplan: Appl. Phys. Lett. 45 (1984) 1199

タイトルに関連する用語 (4件)： 谷 ,  GaInAs ,  GaInP ,  共鳴トンネルダイオード