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J-GLOBAL ID：200902156193832581   整理番号：00A0367519

各種半導体酸化物の光励起反応による濡れ性変換

Photo-induced Surface Wettability Conversion of Various Semiconductor Oxide.

著者 (5件)： 渡部俊也 (東大) ,  中島章 (東大) ,  宮内雅浩 (東大) ,  藤嶋昭 (東大) ,  橋本和仁 (東大)
資料名： 光化学討論会講演要旨集  (Annual Meeting on Photochemistry)
巻： 1999  ページ： 203  発行年： 1999年09月09日 
JST資料番号： L0850A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 計12種の半導体酸化物薄膜をゾルゲル法によって作製し,光照射...

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タイトルに関連する用語 (3件)： 酸化物 ,  光励起 ,  濡れ性