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J-GLOBAL ID：200902160074127559   整理番号：95A0879113

ホットエレクトロン干渉/回折デバイス用のナノ構造配列

Nanostructure Alignment for Hot Electron Interference/Diffraction Devices.

著者 (5件)： HONGO H (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  SUZUKI J (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  SUHARA M (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  MIYAMOTO Y (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  FURUYA K (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 34  号： 8B  ページ： 4436-4438  発行年： 1995年08月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ホットエレクトロン干渉/回折デバイスの超微細作製法を開発した...

シソーラス用語： ヒ化ガリウムインジウム ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (17件)：

• FURUYA, K. J.Appl.Phys. 1987, 62, 1492
• FURUYA, K. IEEE J.Quantum Electron. 1988, 24, 1652
• YACOBY, A. Phys.Rev.Lett. 1991, 66, 1938
• OKUDA, M. Phys.Rev. 1993, B47, 4103
• OKADA, M. Semicond.Sci.Technol. 1992, 7, B223

タイトルに関連する用語 (4件)： ホットエレクトロン ,  干渉 ,  回折 ,  構造配列