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J-GLOBAL ID：200902178982597680   整理番号：94A0877916

プロセス/デバイスシミュレータによる高速バイポーラトランジスタの性能予測

Prediction of High-Speed Bipolar Transistor Properties by Process and Device Simulation.

著者 (7件)： 丸山貴志子 (日立 中研) ,  玉置洋一 (日立 デバイス開セ) ,  佐藤久子 (日立 デバイス開セ) ,  増田弘生 (日立 デバイス開セ) ,  松尾仁司 (日立 中研) ,  井原茂男 (日立 中研) ,  鳥谷部達 (東洋大 工)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 94  号： 235(VLD94 52-62)  ページ： 17-24  発行年： 1994年09月14日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 高速バイポーラトランジスタの設計効率化を目的として,0.5μ...

シソーラス用語： バイポーラトランジスタ ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： プロセス ,  デバイスシミュレータ ,  バイポーラトランジスタ ,  性能予測