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J-GLOBAL ID：200902179467149824   整理番号：00A0812139

電子波干渉デバイス用の50nm幅のAu/Cr/GaInAs電極の作製と輸送特性

Fabrication and transport properties of 50-nm-wide Au/Cr/GaInAs electrode for electron wave interference device.

著者 (5件)： MIYAMOTO Y (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  KOKUBO A (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  OGUCHI H (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  KURAHASHI M (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  FURUYA K (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 159/160  ページ： 179-185  発行年： 2000年06月 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体を用いてYoungの二重スリット実験を行うために,30...

シソーラス用語： 電子波 ,...

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分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  その他の固体デバイス  (NC03150A)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電子波 ,  干渉 ,  Au ,  Cr ,  GaInAs ,  作製 ,  輸送特性