文献

J-GLOBAL ID：200902179885623974   整理番号：96A1016920

スパッタリング法により作製した(Ba_xSr_1-x)TiO₃薄膜の誘電特性

Dielectric Properties of (Ba_xSr_1-x)TiO₃ Thin Films Deposited by RF Sputtering.

著者 (1件)： 堀川剛 (三菱電機)
資料名： 表面科学  (JSSSJ)
巻： 17  号： 11  ページ： 660-665  発行年： 1996年11月 
JST資料番号： F0940B  ISSN： 0388-5321  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 次世代のDynamic Random Access Memo...

シソーラス用語： 誘電体薄膜 ,...

   このテーマを更に深掘りする（JDreamⅢへ）  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=96A1016920&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0940B") }}

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

引用文献 (22件)：

• 1) R. Moazzami, C. Hu and W. H. Shepherd: IEEE Trans. Electron Devices 39, 2044 (1992).
• 2) S. Yamamichi, T. Sakuma, K. Takamura and Y. Miyasaka: Jpn. J. Appl. Phys. 30, 2193 (1991).
• 3) T. Kuroiwa, T. Honda, H. Watarai and K. Sato: Jpn. J. Appl. Phys. 31, 3025 (1992).
• 4) Y. Miyasaka and S. Matsubara: Proc. 7th Int. Symp. Applications of Ferroelectrics (IEEE Service Center, Piscataway, 1991) p.121.
• 5) E. Fujii, Y. Uemoto, S. Hayashi, T. Natsu, Y. Shimada, A. Matsuda, M. Kibe, M. Azuma, T. Otsuki, G. Kano, M. Scott, L.D. McMillan and C.A. Paz de Araujo: Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. (IEEE Service Center, Piscataway,1992) p.267.

タイトルに関連する用語 (4件)： スパッタリング法 ,  作製 ,  薄膜 ,  誘電特性