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J-GLOBAL ID：200902182370089321   整理番号：95A0816671

厚い外部ベースと選択再成長エミッタを持つGaInAs/InP-DHBT

GaInAs/InP DHBT incorporating thick extrinsic base and selectively regrown emitter.

著者 (4件)： MIYAMOTO Y (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  DENTAI A G (AT&T Bell Lab., NJ, USA) ,  RIOS J M M (AT&T Bell Lab., NJ, USA) ,  CHANDRASEKHAR S (AT&T Bell Lab., NJ, USA)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 31  号： 17  ページ： 1510-1511  発行年： 1995年08月17日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 厚い外部ベースと選択再成長エミッタを持つ,低ベース抵抗の高性...

シソーラス用語： HBT【トランジスタ】 ,...
準シソーラス用語： MOVPE

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 再成長 ,  エミッタ ,  GaInAs ,  InP ,  DHBT