Siに植え込まれたホウ素の位置の温度依存性

文献

J-GLOBAL ID：200902187245235873 整理番号：95A0869050

Temperature dependence of lattice locations of boron implanted into silicon.

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巻： 50th 号： 2 ページ： 35 発行年： 1995年03月
JST資料番号： S0671A ISSN： 1342-8349 資料種別：会議録 (C)
発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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