文献

J-GLOBAL ID：200902198025413691   整理番号：95A0216754

電子波デバイスに向けた,50nmピッチの超微細埋込みヘテロ構造に対するGaInAs/InP有機金属気相エピタクシー再成長

GaInAs/InP organometallic vapor phase epitaxy regrowth for ultrafine buried heterostructures with 50nm pitch toward electron wave devices.

著者 (5件)： SUHARA M (Tokyo Inst. Technology, Tokyo, JPN) ,  MIYAMOTO Y (Tokyo Inst. Technology, Tokyo, JPN) ,  HONGO H (Tokyo Inst. Technology, Tokyo, JPN) ,  SUZUKI J (Tokyo Inst. Technology, Tokyo, JPN) ,  FURUYA K (Tokyo Inst. Technology, Tokyo, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 145  号： 1/4  ページ： 698-701  発行年： 1994年12月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaInAsの有機金属気相エピタクシー(MOVPE)による埋...

シソーラス用語： 波動関数 ,...
準シソーラス用語： 電子波デバイス

   このテーマを更に深掘りする（JDreamⅢへ）  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=95A0216754&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0942A") }}

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (9件)： 電子波 ,  ピッチ ,  超微細 ,  埋込み ,  ヘテロ構造 ,  GaInAs ,  InP ,  有機金属気相エピタクシー ,  再成長