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J-GLOBAL ID：200902199346306591   整理番号：98A0838684

EBLプロセスによるサブミクロンGaInAs/InPホットエレクトロントランジスタと電流利得のサイズ依存性

Sub-micron GaInAs/InP hot electron transistors by EBL process and size dependence of current gain.

著者 (8件)： MIYAMOTO Y (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  YOSHINAGA J (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  TODA H (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  ARAI T (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  HONGO H (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  HATTORI T (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  KOKUBO A (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  FURUYA K (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 42  号： 7/8  ページ： 1467-1470  発行年： 1998年07月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子ビームリソグラフィー(EBL)により作製されたサブミクロ...

シソーラス用語： *ホットエレクトロン ,...
準シソーラス用語： ホットエレクトロントランジスタ

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： プロセス ,  サブ ,  GaInAs ,  InP ,  ホットエレクトロントランジスタ ,  電流利得 ,  サイズ依存性