文献
J-GLOBAL ID：200902203347638382
整理番号：07A0953260
(110)配向した超薄膜シリコン-オン-インシュレータを基本とするn型の金属酸化物半導体電界効果トランジスターの1重および2重ゲート動作の下における移動度に関する実験的研究
Experimental Study on Mobility in (110)-Oriented Ultrathin-Body Silicon-on-Insulator n-Type Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor with Single- and Double-Gate Operations
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著者 (2件)：
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資料名：
巻：
46
号：
9A
ページ：
5686-5690
発行年：
2007年09月15日
JST資料番号：
G0520B
ISSN：
0021-4922
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
原著論文
発行国：
日本 (JPN)
言語：
英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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引用文献 (22件)：
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K. Uchida, H. Watanabe, A. Kinoshita, J. Koga, T. Numata, and S. Takagi: IEDM Tech. Dig., 2002, p. 47.
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T. Tezuka, S. Nakaharai, Y. Moriyama, N. Sugiyama, and S. Takagi: Symp. VLSI Technology Dig. Tech. Pap., 2004, p. 198.
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I. Åberg, C. N. Chléirigh, O. O. Olubuyide, X. Duan, and J. L. Hoyt: IEDM Tech. Dig., 2004, p. 173.
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G. Tsutsui, M. Saitoh, and T. Hiramoto: IEEE Electron Device Lett.26(2005)836.
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K. W. Guarini, P. M. Solomon, Y. Zhang, K. K. Chan, E. C. Jones, G. M. Cohen, A. Krasnoperova, M. Ronay, O. Dokumaci, J. J. Bucchignano, C. Cabral, Jr., C. Lavoie, V. Ku, D. C. Boyd, K. S. Petrarca, I. V. Babich, J. Treichler, P. M. Kozlowski, J. S. Newbury, C. P. D’Emic, R. M. Sicina, and H.-S. Wong: IEDM Tech. Dig., 2001, p. 425.
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