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J-GLOBAL ID：200902248181198021   整理番号：05A0955998

(110)配向UTB SOI pMOSFETの優れた移動度に関する実験的検討

Experimental Study on Superior Mobility in (110)-Oriented UTB SOI pMOSFETs

著者 (3件)： TSUTSUI Gen (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SAITOH Masumi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 26  号： 11  ページ： 836-838  発行年： 2005年11月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (100)配向の超薄(UTB)pMOSFETの移動度は,シリ...

シソーラス用語： *MOSFET ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 配向 ,  SOI ,  pMOSFET ,  移動度 ,  実験