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J-GLOBAL ID：200902203833427326   整理番号：09A0022517

電界誘起光第二次高調波発生法による有機電界効果トランジスタの面内電界分布

In-plane anisotropy of electric field in organic field effect transistor observed by optical second harmonic generation measurement

著者 (5件)： 中尾元春 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  間中孝彰 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  WEIS Martin (東京工大 大学院理工学研究科) ,  LIM Eunju (東京工大 大学院理工学研究科) ,  岩本光正 (東京工大 大学院理工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 108  号： 293(OME2008 67-75)  ページ： 23-27  発行年： 2008年11月07日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 電流密度jはj=enμEと表わされるので,有機電界効果トランジスタの解析では,電荷密度en(キャリアの起源)・移動度μ(キャリアの移動)・電界E(有機材料内の電界分布)に関する知見が必要である。注入キャリアで動作する有機FETではONおよびOFF時の電界分布を決定することが重要になる。これまで我々は誘電分極現象に敏感な光第二次高調波発生(SHG)に着目し,有機FETの電界分布評価に対する手法を提案してきた。今回はSH光の偏光方向から電界成分を解析することにより,ペンタセンFETの面内電界分布を検討した。その結果,ドメインサイズが1μm程度に達する試料を用いた場合にも,SHG法によりチャネル方向の静電界を計測できることが示された。(著者抄録)

シソーラス用語： 電荷密度波 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *電位分布 ,  *第二高調波発生 ,  電流密度 ,  キャリア移動度 ,  *有機材料 ,  高分子膜 ,  有機半導体 ,  ポリアセン
準シソーラス用語： 有機FET

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (5件)： 電界 ,  誘起 ,  第二次高調波 ,  有機電界効果トランジスタ ,  電界分布