文献

J-GLOBAL ID：200902205899463261   整理番号：05A0541037

サファイア基板上のGaN層の弾性表面波特性の温度依存性

Temperature Dependence of Surface Acoustic Wave Characteristics of GaN Layers on Sapphire Substrates

著者 (4件)： NISHIMURA Kazumi (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  SHIGEKAWA Naoteru (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  YOKOYAMA Haruki (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  HOHKAWA Kohji (Kanagawa Inst. Technol., Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 44  号： 16-19  ページ： L564-L565  発行年： 2005年05月10日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (001)サファイア基板上の厚み1.5μmと2μmのGaN層...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=05A0541037&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0599B") }}

分類 (1件)： 弾性表面波デバイス  (NC03120T)

引用文献 (7件)：

• 1) S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul and F. Ren: J. Appl. Phys. 86 (1999) 1.
• 2) O. Ambacher: J. Phys. D 31 (1998) 2653.
• 3) S.-H. Lee, H.-H. Jeong, S.-B. Bae, H.-Choi, J.-H. Lee and Y.-H. Lee: IEEE Trans. Electron Devices 48 (2001) 524.
• 4) H.-H. Jeong, S.-K. Kim, Y.-C. Jung, H.-C. Choi, J.-H. Lee and Y.-H. Lee: Phys. Status Solidi A 188 (2001) 1 247.
• 5) T. W. Grudkowski and M. Gilden: Appl. Phys. Lett. 38 (1981) 412.

タイトルに関連する用語 (4件)： サファイア基板 ,  GaN ,  弾性表面波 ,  温度依存性