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J-GLOBAL ID：200902207960670812   整理番号：09A1004046

電場変調吸収法によるITO/α-NPD/Alq3/Au素子内の電界評価

著者 (6件)： 井上志生 (東京工大 理工) ,  QIN W.C. (東京工大 理工) ,  田口大 (東京工大 理工) ,  MARTIN Weis (東京工大 理工) ,  間中孝彰 (東京工大 理工) ,  岩本光正 (東京工大 理工)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 70th  号： 3  ページ： 1219  発行年： 2009年09月08日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 半導体素子 ,  素子構造 ,  透明電極 ,  酸化インジウムスズ ,  金電極 ,  *電流電圧特性 ,  *電位分布 ,  有機半導体 ,  光電流 ,  *MSM構造 ,  内部電場 ,  *有機EL素子
準シソーラス用語： *有機ELデバイス

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

物質索引 (2件)： トリス(8-ヒドロキシキノリン)アルミニウム ,  α-NPD

タイトルに関連する用語 (6件)： 電場変調 ,  ITO ,  α-NPD ,  Au ,  電界 ,  評価