触媒化学蒸着によるSiN不動態化のAlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタの電気的性質にあたえる効果

HIGASHIWAKI Masataka; ONOJIMA Norio; MATSUI Toshiaki; MIMURA Takashi

文献

J-GLOBAL ID：200902208506718467 整理番号：06A0630653

触媒化学蒸着によるSiN不動態化のAlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタの電気的性質にあたえる効果

Effects of SiN passivation by catalytic chemical vapor deposition on electrical properties of AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=06A0630653&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=06A0630653&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}

著者 (4件)：

HIGASHIWAKI Masataka

HIGASHIWAKI Masataka について

名寄せID(JGPN) 200901100489484512 ですべてを検索
「HIGASHIWAKI Masataka」ですべてを検索

(National Inst. of Information and Communications Technol., Koganei, Tokyo 184-8795, JPN)

National Inst. of Information and Communications Technol., Koganei, Tokyo 184-8795, JPN について

名寄せID(JGON) 201551000097250835 ですべてを検索
「National Inst. of Information and Communications Technol., Koganei, Tokyo 184-8795, JPN」ですべてを検索
機関情報を見る

ONOJIMA Norio

ONOJIMA Norio について

名寄せID(JGPN) 200901100585690808 ですべてを検索
「ONOJIMA Norio」ですべてを検索
研究者情報を見る

(National Inst. of Information and Communications Technol., Koganei, Tokyo 184-8795, JPN)

National Inst. of Information and Communications Technol., Koganei, Tokyo 184-8795, JPN について

名寄せID(JGON) 201551000097250835 ですべてを検索
「National Inst. of Information and Communications Technol., Koganei, Tokyo 184-8795, JPN」ですべてを検索
機関情報を見る

MATSUI Toshiaki

MATSUI Toshiaki について

名寄せID(JGPN) 200901100325619026 ですべてを検索
「MATSUI Toshiaki」ですべてを検索

(National Inst. of Information and Communications Technol., Koganei, Tokyo 184-8795, JPN)

National Inst. of Information and Communications Technol., Koganei, Tokyo 184-8795, JPN について

名寄せID(JGON) 201551000097250835 ですべてを検索
「National Inst. of Information and Communications Technol., Koganei, Tokyo 184-8795, JPN」ですべてを検索
機関情報を見る

MIMURA Takashi

MIMURA Takashi について

名寄せID(JGPN) 200901100504661221 ですべてを検索
「MIMURA Takashi」ですべてを検索

(Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Kanagawa 243-0197, JPN)

Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Kanagawa 243-0197, JPN について

名寄せID(JGON) 201551000096899668 ですべてを検索
「Fujitsu Laboratories Ltd., Atsugi, Kanagawa 243-0197, JPN」ですべてを検索
機関情報を見る

資料名：

Journal of Applied Physics (Journal of Applied Physics)

Journal of Applied Physics について

JST資料番号 C0266A ですべてを検索
ISSN,ISBN,CODENですべてを検索
資料情報を見る

巻： 100 号： 3 ページ： 033714-033714-6 発行年： 2006年08月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

抄録/ポイント：

抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

触媒化学蒸着(Cat-CVD)によるSiN不動態化が,AlG...

シソーラス用語：

シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

*化学蒸着

化学蒸着について

「化学蒸着」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

,...
準シソーラス用語：

*HFET

HFET について

「HFET」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=06A0630653&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}

分類 (2件)：

分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです

13-15族化合物を含む半導体-半導体接合

(BM03082Y)

13-15族化合物を含む半導体-半導体接合について

分類コード BM03082Y で文献を検索
分類コード4桁 BM03 で文献を検索

, トランジスタ

(NC03070N)

トランジスタについて

分類コード NC03070N で文献を検索
分類コード4桁 NC03 で文献を検索

タイトルに関連する用語 (8件)：

タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

触媒化学蒸着

触媒化学蒸着について

「触媒化学蒸着」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

SiN

SiN について

「SiN」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

不動態化

不動態化について

「不動態化」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

AlGaN

AlGaN について

「AlGaN」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

GaN

GaN について

「GaN」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

ヘテロ構造

ヘテロ構造について

「ヘテロ構造」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

電界効果トランジスタ

電界効果トランジスタについて

「電界効果トランジスタ」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

電気的性質

電気的性質について

「電気的性質」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る

前のページに戻る