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J-GLOBAL ID：200902211246174523   整理番号：08A0741057

強誘電体をゲート絶縁膜にもつペンタセンFETを用いたソース・ドレイン電極の影響の評価

Analysis of pentacene FET with ferroelectric gate insulator: effect of Source and Drain electrodes

著者 (5件)： 吉田周平 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  田村亮祐 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  LIM Eunju (東京工大 大学院理工学研究科) ,  間中孝彰 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  岩本光正 (東京工大 大学院理工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 108  号： 112(OME2008 32-42)  ページ： 53-57  発行年： 2008年06月20日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 強誘電体をゲート絶縁膜とするペンタセンFETを用いて,ソース・ドレイン電極にAuを用いた場合とAlを用いた場合の特性の違いを評価した。Auを用いた場合には,ソース・ドレイン電極からペンタセン内へのホールの注入が容易に起こるが,Alを用いた場合では容易に起こらない。そのため,強誘電体の自発分極が反転する電圧に違いが現れる。また,ソース・ドレイン電極にAlを用いた場合では自発分極が反転する電圧が印加電圧のスイープ速度に大きく依存する。これらの結果は,注入障壁の大きさの違いにより,単位時間にペンタセンFETチャネルに注入される電荷量が異なるためである。(著者抄録)

シソーラス用語： *強誘電体 ,  *絶縁膜 ,  *ゲート【半導体】 ,  誘電体薄膜 ,  *FET【トランジスタ】 ,  ソース【半導体】 ,  ドレイン【半導体】 ,  *有機半導体 ,  分極反転 ,  フッ素樹脂 ,  ポリアセン ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： 有機FET ,  VDF-TeFE

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (7件)： 強誘電体 ,  ゲート絶縁膜 ,  ペンタセン ,  FET ,  ソース ,  ドレイン ,  影響の評価