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J-GLOBAL ID：200902211442110312   整理番号：06A0367963

Al₂O₃上のエピタキシャル成長GaN膜における層モードデバイス

Layer mode dvices on epitaxially grown GaN films on Al₂O₃

著者 (5件)： HOHKAWA K. (Kanagawa Inst. Technol., Kanagawa, JPN) ,  KANESHIRO C. (Kanagawa Inst. Technol., Kanagawa, JPN) ,  KOH K. (Kanagawa Inst. Technol., Kanagawa, JPN) ,  NISHIMURA K. (Nippon Tetelegraph & Telephone Co., Kanagawa, JPN) ,  SHIGEKAWA N. (Nippon Tetelegraph & Telephone Co., Kanagawa, JPN)
資料名： Proceedings. IEEE Ultrasonics Symposium  (Proceedings. IEEE Ultrasonics Symposium)
巻： 2005 Vol.3  ページ： 1600-1603  発行年： 2005年 
JST資料番号： A0437C  ISSN： 1051-0117  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Sezawa及びLoveモードのような薄膜上の層モードは,R...

シソーラス用語： エピタクシー ,...
準シソーラス用語： SAW素子 ,...

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分類 (2件)： 弾性表面波デバイス  (NC03120T) ,  音響変換器,その他の機器  (BB03060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： Al2O3 ,  エピタキシャル成長 ,  GaN ,  層