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J-GLOBAL ID：200902211842041131   整理番号：09A0903170

プラズマCVDにおけるカーボンナノチューブ成長モードの圧力依存性

A Pressure-Dependent Transition of Carbon Nanotube Growth Mode in Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition

著者 (4件)： 野崎智洋 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  唐津拓也 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  大西空摩 (東京工大 大学院理工学研究科) ,  岡崎健 (東京工大 大学院理工学研究科)
資料名： 日本機械学会論文集 B編  (Transactions of the Japan Society of Mechanical Engineers. Series B)
巻： 75  号： 756  ページ： 1662-1668  発行年： 2009年08月25日 
JST資料番号： F0036B  ISSN： 0387-5016  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 大気圧プラズマCVDを用いれば種々のプラズマダメージを低減できるため,減圧プラズマCVDでは合成が困難とされてきた単層CNTを高純度で合成できる。一方,合成圧力を微減圧すると(20kPa),単層CNTにかわり多層CNTが選択的に合成された。減圧環境では,触媒の凝集を促進する活性種が生成されている可能性がある。他方,マーカー成長法によってCNT成長初期に触媒の凝集を抑制すれば,5kPa-20kPaでも単層CNTを合成することができた。ただし,減圧環境では基板に流入する活性種が増大し,触媒とは無関係にアモルファス炭素を析出するため,プラズマと隣接するCNT先端部が大きなダメージを受ける。(著者抄録)

シソーラス用語： *カーボンナノチューブ ,  *プラズマCVD ,  *結晶成長 ,  非平衡状態 ,  圧力効果 ,  プラズマさや ,  成長調節
準シソーラス用語： 圧力依存性

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

引用文献 (16件)：

• 1) KOGELSCHATZ U. Plasma Chemistry and Plasma Processing. (2003) vol.23, p.1-46.
• 2) NOZAKI T. J Appl Phys. (2006) vol. 99, p. "024310 - 1"-"024310-7" .
• 3) NOZAKI T. Carbon. (2007) vol.45, p.364-374.
• 4) NOZAKI T. Plasma Process. Polym.. (2008) vol.5, p.300-321.
• 5) MURAKAMI Y. Chem. Phys. Lett.. (2003) vol.377, p.49-54.

タイトルに関連する用語 (4件)： プラズマCVD ,  カーボンナノチューブ ,  成長モード ,  圧力依存性