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J-GLOBAL ID：200902213519840176   整理番号：09A0426140

電界誘起SHG法による強誘電性ゲート絶縁膜を用いたペンタセンFET内の電界分布評価

著者 (6件)： 田村亮祐 (東京工大 大学院) ,  吉田周平 (東京工大 大学院) ,  LIM E. (東京工大 大学院) ,  Martin Weis (東京工大 大学院) ,  間中孝彰 (東京工大 大学院) ,  岩本光正 (東京工大 大学院)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 56th  号： 3  ページ： 1380  発行年： 2009年03月30日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  有機半導体 ,  高分子薄膜 ,  酸化膜 ,  電荷 ,  強誘電体 ,  自発分極 ,  *第二高調波発生 ,  CCDカメラ ,  ポリアセン ,  ゲート絶縁膜 ,  *電界分布 ,  化成皮膜
準シソーラス用語： *有機FET ,  *注入電荷 ,  SHG【高調波】 ,  *VDF-TeFE

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (9件)： 電界 ,  誘起 ,  SHG ,  強誘電性 ,  ゲート絶縁膜 ,  ペンタセン ,  FET ,  電界分布 ,  評価