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J-GLOBAL ID：200902215023591136   整理番号：09A0394273

AlGaN/GaN HEMTの電力性能に及ぼす誘電体厚みの影響

Effect of Dielectric Thickness on Power Performance of AlGaN/GaN HEMTs

著者 (6件)： PEI Yi (Univ. California, CA, USA) ,  RAJAN Siddharth (Univ. California, CA, USA) ,  HIGASHIWAKI Masataka (Univ. California, CA, USA) ,  CHEN Zhen (Univ. California, CA, USA) ,  DENBAARS Steven P. (Univ. California, CA, USA) ,  MISHRA Umesh K. (Univ. California, CA, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 30  号： 4  ページ： 313-315  発行年： 2009年04月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HEMTの電力性能は,dc-RF分散により制限されていたが,2000年に表面トラップを抑制するために,SiN_x不動態化法が提案された。AlGaN/GaN HEMTの電力性能に及ぼすSiN_x不動態化誘電体膜厚の影響を調べた。このHEMTでは,高い分極電荷による高電界が存在するので,ゲート・ドレイン領域上の空気イオン化に基づいて,HEMTの表面準位分散と不動態化を説明するモデルについて述べた。このモデルに基づき,表面不動態化のための薄いSiN_x下層と,電界低減のための表面層とから成る多層誘電体層を用いて,フリンジ容量の低減とdc-RF分散の低減ができることを示した。プラズマCVDにより,40nmのSiN_xで不動態化したHEMT上に,100nmのSiO₂を蒸着した。このHEMTで4GHzの電力測定を行い,電力密度と電力付加効率の増加を観測した。

シソーラス用語： 窒化物 ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化ガリウム ,  *HEMT ,  電力 ,  性能 ,  誘電体 ,  厚み ,  マイクロ波トランジスタ ,  不動態化 ,  電力付加効率 ,  改変

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  誘電体 ,  厚み