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J-GLOBAL ID：200902216792640278   整理番号：08A1040061

Snウィスカー核生成・成長機構

著者 (7件)： 仲井清眞 (愛媛大 大学院) ,  阪本辰顕 (愛媛大 大学院) ,  辻圭祐 (愛媛大 大学院) ,  小林千悟 (愛媛大 大学院) ,  高見沢政男 (オーエム産業) ,  村上浩二 (岡山工技) ,  日野実 (岡山工技)
資料名： 日本金属学会講演概要  (Collected Abstracts of the Meeting of the Japan Institute Metals)
巻： 143rd  ページ： 356  発行年： 2008年09月23日 
JST資料番号： S0988A  ISSN： 1342-5730  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 電子技術 ,  電気めっき ,  スズめっき ,  薄膜 ,  *スズ ,  *ホイスカ ,  *結晶成長 ,  核形成 ,  予歪 ,  歪 ,  歪時効 ,  室温 ,  *微細構造 ,  数密度 ,  滑り帯 ,  不均一性 ,  転位【結晶】 ,  螺旋転位 ,  刃状転位 ,  転位密度 ,  走査電子顕微鏡 ,  *実装技術 ,  引張歪 ,  格子欠陥
準シソーラス用語： 微細組織

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  電気めっき  (WC08023B)

タイトルに関連する用語 (4件)： Sn ,  ウィスカー ,  核生成 ,  成長