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J-GLOBAL ID：200902219249968041   整理番号：09A0759614

電場変調分光法による有機FET内の蓄積キャリアの評価

Study of injected carrier energetics in organic-field-effect-transistor by charge modulation spectroscopy

著者 (5件)： 宮沢亮 (東京工大) ,  田口大 (東京工大) ,  WEIS Martin (東京工大) ,  間中孝彰 (東京工大) ,  岩本光正 (東京工大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 109  号： 89(EMD2009 14-20)  ページ： 23-26  発行年： 2009年06月12日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： P3HTを半導体層とするMIS構造素子のCMS,C-V特性を測定した。C-V特性から,電極から注入されたホールの蓄積,空乏状態を評価し,CMS特性から注入したホールがポーラロン準位に入ることを示した。また,CMS測定とインピーダンス測定結果から,下部電極から注入されたホールがP3HT/PI絶縁体界面とP3HT内部に蓄積されることを明らかにした。さらに,光照射や電圧印加による閾値シフトを観測し,光照射によって発生した電子や注入されたホールがP3HT/PI絶縁体界面に蓄積されることを確かめた。以上の結果から,P3HT内部のポーラロン準位に加えて,P3HT/PI絶縁体界面に界面トラップ準位が存在していることを示した。(著者抄録)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  有機半導体 ,  変調分光法 ,  電場 ,  ポリヘキシルチオフェン ,  *MIS構造 ,  ポーラロン ,  光照射 ,  絶縁材料 ,  界面 ,  捕獲中心 ,  絶縁体 ,  界面トラップ
準シソーラス用語： P3HT ,  電場変調分光法 ,  *有機FET

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電場 ,  変調分光法 ,  有機FET ,  蓄積 ,  キャリア ,  評価