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J-GLOBAL ID：200902221739186488   整理番号：05A0599392

室温で大きなCoulombブロッケード振動そして高電圧利得をもつシリコン単一正孔トランジスター

Silicon Single-Hole Transistor with Large Coulomb Blockade Oscillations and High Voltage Gain at Room Temperature

著者 (4件)： HARATA Hidehiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HARATA Hidehiro (Chuo Univ., Tokyo, JPN) ,  SAITOH Masumi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIRAMOTO Toshiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 44  号： 20-23  ページ： L640-L642  発行年： 2005年06月10日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温で大きなCoulmbブロッケード振動および高電圧利得をも...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...
準シソーラス用語： 単一正孔

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (15件)：

• 1) Y. Takahashi, M. Nagase, H. Namatsu, K. Kurihara, K. Iwadate, Y. Nakamura, S. Horiguchi, K. Murase and M. Tabe: Electron. Lett. 31 (1995) 136.
• 2) H. Ishikuro, T. Fujii, T. Saraya, G. Hashiguti, T. Hiramoto and T. Ikoma: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 3585.
• 3) H. Ishikuro and T. Hiramoto: Appl. Phys. Lett. 71 (1997) 3691.
• 4) J. R. Tucker: J. Appl. Phys. 72 (1992) 4399.
• 5) K. K. Likharev: Proc. IEEE 87 (1999) 606.

タイトルに関連する用語 (5件)： 室温 ,  Coulombブロッケード ,  高電圧利得 ,  シリコン ,  単一正孔トランジスター