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J-GLOBAL ID：200902222156209400   整理番号：08A0310902

微小領域選択成長によるSi上III/V化合物半導体層の形成

著者 (8件)： 出浦桃子 (東大 大学院) ,  星井拓也 (東大 大学院) ,  杉山正和 (東大 大学院) ,  中根了昌 (東大 大学院) ,  菅原聡 (東京工大 理工) ,  竹中充 (東大 大学院) ,  高木信一 (東大 大学院) ,  中野義昭 (東大 先端科学技研セ)
資料名： 化学工学会年会研究発表講演要旨集
巻： 73rd  ページ： 202  発行年： 2008年02月17日 
JST資料番号： X0547A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  ウエハ【IC】 ,  *MOCVD ,  ヒ化インジウム ,  ヒ化ガリウム ,  結晶成長 ,  シリコンウエハ
準シソーラス用語： Siウエハ ,  有機金属化学気相成長法

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 微小 ,  領域選択成長 ,  Si ,  V化合物 ,  半導体層