文献

J-GLOBAL ID：200902224238471599   整理番号：08A0288448

Si導波路を用いた干渉型光アイソレータの動作実証

著者 (5件)： 庄司雄哉 (東京工大) ,  横井秀樹 (芝浦工大) ,  HSIEH I-Wei (コロンビア大) ,  OSGOOD Richard M., Jr. (コロンビア大) ,  水本哲弥 (東京工大)
資料名： 電子情報通信学会大会講演論文集  (電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集)
巻： 2008  号： エレクトロニクス1  ページ： 210  発行年： 2008年03月05日 
JST資料番号： G0508A  ISSN： 1349-1369  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Siフォトニクスは,Siの強い光閉じ込めによる微小光回路やLSIの発達した加工技術,量産性により低コストでの小型化,集積化を可能とする。近年,カリフォルニア大学とインテルの研究グループによってIII-V族化合物半導体のSi導波路上へのハイブリッド集積が報告され,また,Si導波路での40Gbpsといった高速光変調器等も実現されている。Siフォトニクスは低コストで小型の実装モジュールの開発へ向けて発展を続けている。一方,我々はSi導波路を用いた干渉型光アイソレータを提案し,その検討を進めてきた。この素子はダイレクトボンデイング技術によって,磁気光学効果を有する磁性ガーネット(CeY)₃Fe₅O₁₂(Ce:YIG)を上クラッド層としてSi導波路上に接合することで実現される。今回,酸素プラズマを用いた表面活性化ダイレクトボンディングによって光アイソレータを製作し,その動作実証に成功したので報告する。(著者抄録)

シソーラス用語： *導波路 ,  ケイ素 ,  *アイソレータ ,  *光干渉 ,  実証実験 ,  オプトエレクトロニクス ,  小型化 ,  ガーネット型結晶 ,  ボンディング【IC】 ,  光変調素子 ,  フォトニクス ,  改変
準シソーラス用語： 光変調器 ,  Si ,  光アイソレータ ,  集積化

分類 (2件)： 光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  導波路 ,  干渉型光 ,  アイソレータ ,  実証