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J-GLOBAL ID：200902224343864296   整理番号：08A0440374

反応性パルスレーザーアブレーション法によるInTaO₄系ナノ構造体の作製 II-Niドーピングの効果-

著者 (6件)： 豊山博一 (甲南大 理工) ,  吉田岳人 (阿南工高専) ,  梅津郁朗 (甲南大 理工) ,  梅津郁朗 (甲南大 量子ナノテク研) ,  杉村陽 (甲南大 理工) ,  杉村陽 (甲南大 量子ナノテク研)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 55th  号： 3  ページ： 1194  発行年： 2008年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *パルスレーザ照射 ,  *レーザアブレーション ,  *光触媒 ,  *インジウム化合物 ,  タンタル酸塩 ,  ナノ構造 ,  ドーピング ,  ニッケル ,  *光吸収 ,  焼結体 ,  光音響分光法 ,  Nd-YAGレーザ ,  酸素 ,  分圧 ,  光吸収スペクトル ,  圧力効果 ,  物

分類 (2件)： レーザ照射・損傷  (BK16040S) ,  光化学一般  (CB08010U)

タイトルに関連する用語 (6件)： 反応性 ,  パルスレーザーアブレーション法 ,  ナノ構造体 ,  作製 ,  Ni ,  ドーピング