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J-GLOBAL ID：200902224503513096   整理番号：05A1046272

高周波プラズマCVD法により作製されたドープトアモルファス炭素膜の特性評価

著者 (3件)： 西英隆 (東京工大 大学院) ,  赤坂大樹 (東京工大 大学院) ,  大竹尚登 (東京工大 大学院)
資料名： ダイヤモンドシンポジウム講演要旨集
巻： 19th  ページ： 94-95  発行年： 2005年11月24日 
JST資料番号： L1241A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： プラズマCVD ,...
準シソーラス用語： 非晶質炭素

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分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  気相めっき  (WC08022K) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

物質索引 (1件)： メタン

タイトルに関連する用語 (5件)： 高周波 ,  プラズマCVD法 ,  作製 ,  炭素膜 ,  特性評価