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J-GLOBAL ID：200902226442445303   整理番号：08A0424340

微小領域選択成長によるSi(111)基板上へのInAsピラーの形成

著者 (8件)： 星井拓也 (東大) ,  出浦桃子 (東大) ,  杉山正和 (東大) ,  中根了昌 (東大) ,  菅原聡 (東京工大) ,  竹中充 (東大) ,  中野義昭 (東大) ,  高木信一 (東大)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 55th  号： 1  ページ： 360  発行年： 2008年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヒ化インジウム ,  ウエハ【IC】 ,  半導体材料 ,  縦方向 ,  二酸化ケイ素 ,  フォトリソグラフィー ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  *選択成長 ,  ナノ構造 ,  モルフォロジー ,  MOCVD ,  エピタクシー ,  化合物半導体 ,  ナノピラー ,  *シリコンウエハ
準シソーラス用語： *Si基板 ,  *領域選択成長 ,  OMVPE

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

物質索引 (1件)： トリメチルガリウム

タイトルに関連する用語 (5件)： 微小 ,  領域選択成長 ,  Si ,  InAs ,  ピラー