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J-GLOBAL ID:200902226654782334   整理番号:09A0653509

電磁界シミュレータを用いたディエンベディング手法

De-embedding Method Using EM Simulator
著者 (5件):
資料名:
巻: 109  号: 62(MW2009 9-17)  ページ: 35-40  発行年: 2009年05月21日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
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MMICを高精度に設計するためには正確にFETの特性を知る必要がある。従来より,FET-TEGとOpen/Short-TEGのSパラメータ実測および等価回路を仮定する方法が用いられている。著者らは,電磁界(EM)シミュレータを併用した,より高精度なディエンベディング手法を提案した。提案手法では,4ポート寄生回路のSパラメータを電磁界シミュレータで解析し,行列演算によって内部に埋め込まれた2ポートの集中定数素子のZ(Y)行列を抽出する。また,従来のディエンベディング手法では,(1)寄生回路を等価回路で近似すること,そして,(2)Open/Short-TEGのパターンを理想的な集中定数のOpen/Shortと見なすことの2点が不安要因であり,精度の悪化が懸念されていた。(1)が誤差の主要因であることがわかった。(著者抄録)
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