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J-GLOBAL ID：200902226705695598   整理番号：07A1023877

高速度低電力応用のためのInAsチャネルHEMTにおける衝撃イオン化の調査

Investigation of Impact Ionization in InAs-Channel HEMT for High-Speed and Low-Power Applications

著者 (8件)： CHANG Chia-Yuan (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  HSU Heng-Tung (Yuan Ze Univ., Chung Li, TWN) ,  CHANG Edward Yi (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  KUO Chien-I (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  DATTA Suman (Intel Corp., OR, USA) ,  RADOSAVLJEVIC Marko (Intel Corp., OR, USA) ,  MIYAMOTO Yasuyuki (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  HUANG Guo-Wei (National Nano Device Lab., Hsinchu, TWN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 28  号： 10  ページ： 856-858  発行年： 2007年10月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InP基板上のInAlAs/InGaAs HEMTは優れたR...

シソーラス用語： *HEMT ,...
準シソーラス用語： 遅延時間

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 高速度 ,  低電力 ,  応用 ,  InAs ,  チャネル ,  HEMT ,  衝撃イオン化 ,  調査