文献
J-GLOBAL ID：200902228024996444
整理番号：05A0535259
超薄本体シリコンナノ結晶メモリにおけるしきい値電圧シフトに及ぼすチャネル薄化の効果
Effects of Channel Thinning on Threshold Voltage Shift in Ultrathin-Body Silicon Nanocrystal Memories
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著者 (3件)：
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資料名：
巻：
44
号：
4B
ページ：
2608-2611
発行年：
2005年04月30日
JST資料番号：
G0520B
ISSN：
0021-4922
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
短報
発行国：
日本 (JPN)
言語：
英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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大きなしきい値電圧シフト(ΔV
th)及...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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分類 (1件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体集積回路
引用文献 (15件)：
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1) S. Tiwari, F. Rana, H. Hanafi, A. Hartstein, E. F. Crabbé and K. Chan: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 1377.
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2) Y. Shi, K. Saito, H. Ishikuro and T. Hiramoto: J. Appl. Phys. 84 (1998) 2358.
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3) I. Kim, S. Han, K. Han, J. Lee and H. Shin: IEEE Electron Device Lett. 20 (1999) 630.
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4) R. Muralidhar et al.: IEEE Int. Electron Devices Meeting Tech. Dig. (2003) p. 601.
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5) I.-G. Kim, K. Yanagidaira and T. Hiramoto: IEEE Electron Device Lett. 25 (2004) 265.
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タイトルに関連する用語 (3件)：
タイトルに関連する用語
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