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J-GLOBAL ID：200902228102947862   整理番号：07A0383449

Maxwell Wagnerモデルに基づいた強誘電性ゲート絶縁膜を持つペンタセンFETの解析

著者 (5件)： 田村亮祐 (東京工大 大学院) ,  吉田周平 (東京工大 大学院) ,  LIM E. (東京工大 大学院) ,  間中孝彰 (東京工大 大学院) ,  岩本光正 (東京工大 大学院)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 54th  号： 3  ページ： 1414  発行年： 2007年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ポリアセン ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (5件)： 強誘電性 ,  ゲート絶縁膜 ,  ペンタセン ,  FET ,  解析